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黄仁勋在摩根士丹利科技大会放话：DRAM厂商产能扩多少，英伟达就用掉多少。随着英伟达新一代Vera Rubin平台采用更复杂的HBM4规格，存储资源耗损倍增，三大DRAM厂扩产仍难填其缺口。
英伟达首席执行官黄仁勋向全球存储芯片厂商发出强烈信号：尽管扩产，英伟达照单全收。
周一，黄仁勋在摩根士丹利科技大会上表示，芯片供给短缺对英伟达而言是"极好的消息"，因为资源受限会促使客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案。他更直接向DRAM厂商喊话："产能扩多少，我们（英伟达）就会用掉多少。"
这一表态被业界视为对DRAM产业景气的强力背书，也预示着AI算力军备竞赛对存储资源的需求将持续攀升。
业界认为，黄仁勋此番表态的背后，是英伟达即将推出的新一代Vera Rubin平台对存储资源的庞大需求。随着英伟达全力冲刺新平台，鸿海、广达、纬创等代工伙伴的接单前景也同步看好。
供给受限反成优势，英伟达全力扫货
黄仁勋在会上阐述了其对资源短缺的独特逻辑：在数据中心土地、电力、建筑等各类资源均受限的环境下，客户在采购决策上会更加审慎，并更倾向于一步到位选择最强方案。这一趋势对于存储器尤为明显。
他的表态意味着，即便DRAM价格因供给紧张而持续上涨，英伟达仍将维持强劲的采购力度，不会因成本压力而缩减备货。这为三星、SK海力士、美光等全球三大DRAM厂商提供了明确的需求能见度。
英伟达对存储资源的渴求，与其新一代AI平台的技术路线密切相关。以现有的GB300为例，其支持的高带宽存储器（HBM）容量已高达288GB，较GB200的192GB大幅提升。
进入Vera Rubin世代后，HBM容量虽维持288GB，但规格将从HBM3E升级至HBM4。HBM4采用16层堆叠设计，较HBM3E的12层堆叠更为复杂，产能自然耗损率也随之提高，单位产出消耗的存储资源将更为庞大，预计将进一步加剧DRAM供给短缺的局面。
三大DRAM厂扩产，消费端缺口短期难解
尽管三星、SK海力士及美光均已启动扩产计划，但业界指出，三大厂商当前扩增的产能主要集中于HBM及企业级DRAM，消费性DRAM的供给短缺问题至少在未来一年内仍难以缓解。
与此同时，HBM以及数据中心用LPDDR4、LPDDR5和新一代DDR6的价格，预计将持续走高。供需结构的持续偏紧，为存储芯片厂商的盈利前景提供了支撑。
机构看好，英伟达持续扩大存储备货、冲刺新世代AI平台商机，将带动其供应链伙伴的订单动能持续升温。鸿海、广达、纬创等主要代工厂作为英伟达AI服务器的核心组装伙伴，有望在这一轮需求扩张中同步受益。
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